三星電子將按輝達要求採用TSMC 3nm製程製造NVHBM基礎裸晶

Odaily星球日報訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，據韓國媒體報導，三星電子已決定應輝達要求，採用 TSMC 3nm 製程製造 NVHBM 基礎裸晶。三星電子尚未完全排除使用自有晶圓代工產線，並正在驗證在 NVHBM 需求超過 TSMC 產能的情況下於內部生產基礎裸晶的可行性。